場效應(yīng)管

KR905P代替WPM1481，F(xiàn)DMA905P----封裝DFN2X2-6L，P溝道。

特征、相關(guān)參數(shù)：

VDS = -12V,VGS=±8，ID = -15A  

RDS(ON) <15m? @ VGS=-4.5V ；

RDS(ON) <20m? @ VGS=-2.5V ；

RDS(ON) <45m? @ VGS=-1.8V ；

RDS(ON) <80m? @ VGS=-1.5V 。

Asvanced trench MOSFET process technology  Ultra low on-resistance with low gate charge  New Thermally Enhanced DFN2X2-6L Package

Application：

PWM applications Load switch battery charge in cellular handset